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意法半導體針對高能效功率變換應用,推出新的 45W和150W MasterGaN 產品

作者:時間:2021-08-27來源:電子產品世界收藏

為了更方便的轉型到高能效的寬禁帶半導體技術,意法半導體發布了MasterGaN3*和 MasterGaN5兩款集成功率系統封裝,分別面向高達 45W 和 150W的功率變換應用。

本文引用地址:http://www.hifi-yinxiang.com/article/202108/427859.htm

連同面向 65W 至 400W 應用的MasterGaN1、MasterGaN2 和MasterGaN4,這兩款新產品為設計開關式電源、充電器、適配器、高壓功率因數校正 (PFC) 和 DC/DC 變換器的工程師選擇合適的氮化鎵 (GaN) 器件和驅動解決方案提供了更多的靈活性。

意法半導體的 MasterGaN 概念簡化了GaN 寬禁帶功率技術替代普通硅基MOSFET的發展進程。新產品集成兩個 650V 功率晶體管與優化的高壓柵極驅動器和相關的安全保護電路,消除了柵極驅動器和電路布局設計挑戰。因為 GaN 晶體管可以實現更高的開關頻率,新的集成功率系統封裝可使電源尺寸比基于硅的設計縮小 80%,并且具有很高的穩健性和可靠性。

MasterGaN3 的兩個 GaN 功率晶體管的導通電阻值 (Rds(on))不相等,分別為 225mΩ 和 450mΩ ,使其適用于軟開關和有源整流變換器。在 MasterGaN5 中,兩個晶體管的導通電阻值 (Rds(on))都是450mΩ,適用于 LLC 諧振和有源鉗位反激變換器等拓撲。

與MasterGaN產品家族的其他成員一樣,這兩款器件都有兼容3.3V 至 15V 邏輯信號的輸入,從而簡化了產品本身與 DSP處理器、FPGA 或微控制器等主控制器和霍爾傳感器等外部設備的連接。新產品還集成了安全保護功能,包括高低邊欠壓鎖定 (UVLO)、柵極驅動器互鎖、過熱保護和關斷引腳。

每款MasterGaN產品都有一個配套的專用原型開發板,幫助設計人員快速啟動新的電源項目。 EVALMASTERGAN3 和 EVALMASTERGAN5開發板都包含一個單端或互補驅動信號發生器電路。板載一個可調的死區時間發生器,以及相關的設備接口,方便用戶采用不同的輸入信號或 PWM 信號,連接一個外部自舉二極管來改進容性負載,為峰流式拓撲插入一個低邊檢流電阻。

MasterGaN3 和 MasterGaN5 現已量產,采用針對高壓應用優化的9mm x 9mm GQFN 封裝,高低壓焊盤間爬電距離為 2mm。

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